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Si3402
D OCUMENT C HANGE L IST
Revision 1.0 to Revision 1.1
?
Added "6. Recommended Land Pattern" on page 17.
Revision 1.1 to Revision 1.2
?
Added "8. Device Marking Diagram" on page 19.
Revision 1.2 to Revision 1.3
?
?
?
?
Deleted old Table 2 on page 4.
Updated Table 2, “Absolute Maximum Ratings 1 ,” on
page 4.
Updated Table 3, “Surge Immunity Ratings 1 , 2 , 3 ,” on
page 5.
Updated Table 4, “Electrical Characteristics,” on
page 6.
Revision 1.3 to Revision 1.31
?
20
Updated Table 11, “Si3402 Pin Descriptions (Top
View),” on page 15.
Rev. 1.31
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SI3403-A-GM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Trays 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC POE CTLR TO 17W LOW EMI 20QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI)
Si3403-A-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI)
SI3403DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3403DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3407DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si3407DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 4.2W 24mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3407DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube